[发明专利]基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法在审
| 申请号： | 201811343464.7 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109399558A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 余丙军;吴磊;范志涛;彭勇;汪红波;钱林茂 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 610031 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法，包括以下步骤：S1、采用机械刻划或压痕设备在洁净的砷化镓表面进行划痕或压痕加工；S2、采用混合刻蚀剂对砷化镓表面进行紫外光化学辅助刻蚀，刻蚀完成后对砷化镓表面进行清洗，获得高质量的砷化镓表面纳米结构。该加工方法能够实现砷化镓表面任意二维结构的加工，无需模板，操作简单，成本低；进一步的，本方法的加工过程在常温常压下进行，不产生污染气体，并且加工后的刻蚀剂易处理；此外，本方法能够快速在砷化镓表面加工出高质量的图案和光学结构，与传统刻蚀相比，加工速度快、质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓 加工 刻蚀 光化学 选择性刻蚀 表面纳米 刻蚀剂 表面纳米结构 紫外光化学 表面加工 常温常压 二维结构 光学结构 机械刻划 污染气体 压痕加工 压痕设备 划痕 清洗 洁净 图案 | ||
【主权项】：
1.一种基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、采用机械刻划或压痕设备在洁净的砷化镓表面进行划痕或压痕加工；S2、采用混合刻蚀剂对砷化镓表面进行紫外光化学辅助刻蚀，刻蚀完成后对砷化镓表面进行清洗，获得砷化镓表面纳米结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学，未经西南交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811343464.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
