[发明专利]MEMS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811344842.3 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111170268B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王贤超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，MEMS器件包括：包括支撑区和振动区的第一电极板，且振动区的第一电极板内具有；位于支撑区的第一电极板上的牺牲层，且第一电极板的材料致密度大于所述牺牲层材料的致密度；第二电极板，第二电极板包括贯穿所述牺牲层的连接部、位于所述支撑区上方的牺牲层上的支撑部以及位于所述振动区上方的振动部，所述支撑部与所述连接部以及第一电极板相连，所述连接部与所述第一电极板之间电绝缘，且所述第一电极板、振动部、支撑部以及连接部围成空腔。本发明通过设置第二电极板底部与第一电极板相连的特殊结构，避免第二电极板内部应力变化的问题，从而改善MEMS器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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