[发明专利]一种反熔丝存储器自检测和自修复方法在审
| 申请号： | 201811345443.9 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109524050A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 孙轶君 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | G11C29/18 | 分类号： | G11C29/18;G11C29/44;G11C17/16 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 李巨智 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反熔丝存储器自检测和自修复方法，所述反熔丝存储器设置冗余存储单元；编程器对当前地址写入数据，进行编程操作，并在编程结束后对编程的地址进行读操作，将读取的数据通过总线送至编程器；编程器将读取的数据发送给上位机，由上位机将读取的数据与写入的数据进行比较，并将比较结果发送给编程器，如果比较结果一致，则进行下一位地址的编程操作，如果比较结果不一致，则利用冗余存储单元替换产生该结果的地址单元。本发明使用冗余结构来提高存储器电路的可靠性，实现在同一芯片内部进行了自检测和自修复，提高了电路调节的灵活性，使电路的普适性提高，降低电路的维护及使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 编程器 读取 反熔丝存储器 自检测 自修复 冗余存储单元 编程操作 上位机 编程 电路 地址写入数据 存储器电路 地址单元 电路调节 冗余结构 数据通过 不一致 读操作 普适性 数据发 位地址 总线 替换 写入 芯片 维护 | ||
【主权项】：
1.一种反熔丝存储器自检测和自修复方法，其特征在于：所述反熔丝存储器设置冗余存储单元；该方法包括以下步骤：步骤1：编程器对当前地址写入数据，进行编程操作，并在编程结束后对编程的地址进行读操作，将读取的数据通过总线送至编程器；步骤2：编程器将读取的数据发送给上位机，由上位机将读取的数据与写入的数据进行比较，并将比较结果发送给编程器，如果比较结果一致，则进行下一位地址的编程操作，如果比较结果不一致，则利用冗余存储单元替换产生该结果的地址单元。
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