[发明专利]一种硅酸镧纳米粉体的表征方法

摘要

本发明公开了一种硅酸镧纳米粉体的表征方法，属于硅酸镧表征领域。通过分析LCSO粉体的制备，Ce+3对硅酸镧的掺杂对La10Si6O27陶瓷片的组织结构的影响，以及不同含量的Ce+3的掺杂所带来的影响；制备具有较高的导电性质的LCSO陶瓷片，为之后与钙钛矿型电解质LSCM固体氧化物电解质和CeO2基型电解质材料SDC分别复合提供较优的LCSO陶瓷片，通过进行Ce的掺杂，改变La10Si6O7的物质结构，提高氧空轨道，降低SOFC的操作温度，维持较高的电导率，采用XRD和SEM对LCSO电解质陶瓷的物相结构进行分析，又通过孔隙率、热重分析和交流阻抗测试，获得电解质陶瓷的性能指数，从而对电解质陶瓷获得一个完整全面的分析。

主权项

1.一种硅酸镧纳米粉体的表征方法，其特征在于：包括以下步骤；S1、将La10‑x/3Cex/3Si6O26+§粉体与成型剂混合之后，进行研磨和造粒工作，之后放入粉末压片机中，压片成型之后放入马弗炉进行高温煅烧，获得检测试样，；S2、取部分检测试样进行XRD测试，之后再将检测试样进行傅里叶红外光谱分析，利用不同的结构对不同的红外波长进行吸收，以致不同的结构都有一个特殊的吸收峰，定性定量地分析检测试样的结构；S3、取部分检测试样，利用扫描电子显微镜观察材料的尺寸大小、形状和表面光滑程度；S4、取部分检测试样放入电热鼓风干燥机中，在100‑120℃下干燥1‑1.5h后，在空气环境下的称量质量为G1，之后将检测试样放入沸水中称量悬浮质量为G2，取出检测试样之后，将检测试样的表面上的水分擦干之后在空气环境下称量质量为G3，通过以下公式可以计算出检测试样孔隙率Q为；Q＝(G3‑G1)÷(G3‑G2)S5、取部分检测试样放入热重分析仪中，以5℃/min的速度对检测试样进行升温操作，并在同时记录样品的质量变化通过对样品的温度对质量的影响，并找出失重分析骤降点，记录其骤降温度为TG；S6、取部分检测试样，通过电化学分析仪测得的交流阻抗数据，拟合得到样品的电阻值，电阻值与电导率的关系通常由欧姆定律和电阻定律表达，公式如下：其中：为样品的电导率，ρ为样品的电阻率，L为样品的厚度，S为样品的横截面积，R为电极的电阻；并且固体氧化物电解质的电导率与温度的关系以下公式：其中：为指前因子，E_a为电导率活化能，K为Boltzmann常数，T为绝对温度；上式可转化为：S7、将S4中的孔隙率Q，S5中的骤降温度TG，S6中的Ea电导率活化能，带入以下公式中：得到比例因子η，并将计算结果进行比对分析。