[发明专利]一种RTA退火炉校温方法

摘要

本发明公开了一种RTA退火炉校温方法，该方法利用衬底制作成校温陪片，利用金属和衬底在特定温度下才能形成良好欧姆接触的特性来定义退火的临界温度，在临界温度基础上可以得到安全的目标工艺温度，该方法还可以监控腔体在临界温度的温场分布。本发明一种RTA退火炉校温方法具有便捷、经济、可靠的优点，不需要专门购买昂贵的校温用TCWafer装置，同时解决了传统TC Wafer装置对背面有金属材料的样品无法有效反馈温场分布的弊端。

主权项

1.一种RTA退火炉校温方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、制作校温用陪片：将衬底研磨到同产品同样的厚度，厚度为100‑200um，衬底背面蒸镀金属材料为Au、AuGe、AuGeNi、Ti、Pt中的任意两种；(2)、设置退火程序，升温速率2‑5℃/s，持温温度380‑450℃，持温时间5‑60s，放置制作好的校温陪片进行退火；(3)、将退火好的陪片涂正性光刻胶，厚度1‑3um，并做100℃烘烤10min处理，采用自动曝光机，通过曝光10s、显影30s将光刻版上的方块图形单元复制到陪片表面；(4)、利用金属腐蚀液将陪片腐蚀出图形，并去胶，金属蚀刻液成分为KI、I2、H2O的混合液；(5)、利用欧姆测试仪测试相邻两颗金属图形之间的电阻，该阻值反应样品的温度高低，不同区域阻值大小的分布反应了温场的分布，通过设定温度试验找到该电阻在接近良好欧姆接触的特定范围的温度，定义该温度为临界温度，在此温度基础上增加窗口温度即可得到安全的目标工艺温度。