[发明专利]湿式处理设备及其处理方法有效
| 申请号： | 201811345994.5 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111048436B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 易健民 | 申请（专利权）人： | 智优科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军;史瞳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种湿式处理设备及其处理方法，该湿式处理设备适于对承载治具所承载的多个芯片进行加工处理，湿式处理设备包含输送装置、蚀刻区、第一清洗区、去氧化区及第二清洗区。输送装置可输送承载治具移动。蚀刻区具有用以供输送装置所输送的承载治具浸泡以蚀刻芯片的多个引脚的第一药液。第一清洗区位于蚀刻区下游侧用以清洗经由蚀刻区输出的承载治具上的芯片。去氧化区位于第一清洗区下游侧并具有用以供输送装置所输送的承载治具浸泡以对各芯片的引脚产生去氧化反应的第二药液。第二清洗区位于去氧化区下游侧用以清洗经由去氧化区输出的承载治具上的芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 设备 及其 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
