[发明专利]一种单层石墨烯的制备方法有效
| 申请号： | 201811346246.9 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109095461B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张贺;古宏伟;丁发柱;李辉;屈飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 100000 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单层石墨烯的制备方法，该单层石墨烯是由SiC衬底在充满惰性气体的气压动态平衡环境下加热热解制得，具体包括如下步骤：取SiC衬底预处理后放入坩埚；将坩埚置于真空室，抽真空后充入惰性气体，将坩埚感应加热促使SiC衬底升温至热解温度并保温；调整气压，控制真空室中的惰性气体保持气压动态平衡，使SiC衬底进行热解；热解完成后降至室温，恢复常压，取出单层石墨烯。本发明提供的制备方法简单可控，提高了生产效率，有望进行批量化生产，该方法能够制备2～4英寸的大尺寸单层石墨烯，所得单层石墨烯的层数可控，面积较大，且晶格缺陷极少，可以满足高质量单层石墨烯的市场需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单层石墨烯的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)取SiC衬底依次进行清洗和干燥处理，然后放入坩埚；(2)将坩埚置于真空室，在真空条件下充入惰性气体至真空室内气压为300～600Torr，封闭真空室，然后将坩埚感应加热促使SiC衬底升温至热解温度进行保温；(3)调整气压为5～30Torr，控制真空室内的惰性气体保持气压动态平衡，使SiC衬底进行热解；(4)热解完成后调整真空室内气压为450～550Torr，然后停止感应加热，使坩埚自然降至室温，向真空室通入惰性气体至常压，取出样品，得到单层石墨烯。
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