[发明专利]一种晶圆级器件集成方法及集成结构在审
申请号: | 201811347414.6 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN111180382A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 刘孟彬 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/538 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 315899 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种晶圆级器件集成方法及集成结构,所述方法包括:将多个待集成元件间隔键合于承载部上,形成塑封层覆盖承载部与待集成元件,去除承载部,将塑封层远离待集成元件的一面与第一基底进行键合,形成第一布线层覆盖第一基底且与待集成元件连接,将第一基底与第二基底进行键合,在第二基底上形成多个第一通孔与多个第二通孔,第一通孔暴露出器件结构,第二通孔暴露出第一布线层,形成第二布线层,第二布线层通过第一通孔和第二通孔分别与器件结构和第一布线层连接,以使待集成元件与器件结构在垂直于第二基底的方向上互连,实现了3D集成,从而能够大幅减小形成的集成结构的面积、降低制造成本、优化集成结构的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶圆级 器件 集成 方法 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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