[发明专利]晶圆处理设备以及晶圆处理方法在审
| 申请号： | 201811347427.3 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111180354A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘曦光 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆处理设备及晶圆处理方法，能够通过延迟控制装置延长原厂开关闸门的速度不可调的阀机构开启闸门的开启时间和/或关闭闸门关闭时间，以改善因腔体上的闸门开关太快而导致腔体内壁上的沉积物剥落的问题，降低晶圆表面微尘颗粒的产生，进而提高产品良率，降低机台清理频率和生产成本，本发明的技术方案适用于原厂阀机构无法控制其连接的闸门的开关速度的各种晶圆处理机台，即腔体不仅包括反应室，还包括传送室、冷却室、清洗室、干燥室等。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 设备 以及 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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