[发明专利]一种3D高密度互联的PoP塑封器件制备方法在审
| 申请号： | 201811347999.1 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109559996A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 杨婷;李宗亚;敖国军 | 申请（专利权）人： | 无锡中微高科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214035 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路封装技术领域，涉及一种3D高密度互联的PoP塑封器件制备方法，包括在常规MCM基板正面进行器件贴装，并完成塑封；在基板背面通过刷锡膏的方式，一次性完成SMT器件贴装和铜柱贴装，并完成基板背面的二次塑封;对基板背面塑封体减薄，露出铜柱，并在铜柱露出端完成植球；本发明的3D高密度互联的PoP塑封器件是在基于PoP塑封器件形式上，使用常规刷锡膏、植铜柱工艺代替垂直模块通孔工艺，可降低工艺难度和成本，无需前期设备投入，在实现器件间的3D堆叠的同时，进一步提高3D方向互联密度。 | ||
| 搜索关键词： | 塑封器件 铜柱 互联 贴装 塑封 锡膏 制备 集成电路封装 一次性完成 垂直模块 工艺难度 基板背面 基板正面 设备投入 完成基板 对基板 露出端 塑封体 堆叠 减薄 通孔 植球 背面 | ||
【主权项】：
1.一种3D高密度互联的PoP塑封器件制备方法，其特征是，包括如下步骤：步骤一. 选取一基板（1），对于单侧互联的PoP封装形式，在基板（1）正面进行倒装芯片（6）贴装、SMT器件（5）贴装及其他芯片（2）贴片键合；步骤二. 对基板（1）正面通过塑封料（4）包封，完成正面包封；步骤三. 在基板（1）背面进行倒装芯片（6）贴装、SMT器件（5）贴装及铜柱（3）植柱；步骤四. 对基板（1）背面通过塑封料（4）包封，完成背面包封；步骤五. 对于单侧互联的PoP封装形式，对基板（1）背面的塑封料（4）进行机械研磨，露出单侧铜柱（3）的顶端；步骤六. 在露出的铜柱端完成植球。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
