[发明专利]3D NAND闪存的制作方法和连接结构有效
| 申请号： | 201811348222.7 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109637976B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 田武;孙超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/265;H01L21/324;H01L23/538;H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种3D NAND闪存的制作方法和连接结构。所述制作方法包括：向3D NAND闪存的接触窗所在位置注入目标原子，其中，注入的所述目标原子与所述接触窗底部的外围电路区硅晶胞中晶格点处的硅原子发生碰撞，使得所述硅原子发生位移从而在所述硅晶胞中产生间隙，所述目标原子为硅，锗，锡，铅中的至少一种；利用加热使得所述3D NAND闪存的源区或漏区中的硼原子移动到所述间隙。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 制作方法 连接 结构 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND闪存的制作方法，其特征在于，包括：向3D NAND闪存的接触窗所在位置注入目标原子，其中，注入的所述目标原子与所述接触窗底部的外围电路区硅晶胞中晶格点处的硅原子发生碰撞，使得所述硅原子发生位移从而在所述硅晶胞中产生间隙，所述目标原子为硅，锗，锡，铅中的至少一种；利用加热使得所述3D NAND闪存的源区或漏区中的硼原子移动到所述间隙。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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