[发明专利]电容耦合式电平移位器在审
| 申请号： | 201811351280.5 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109787609A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | S·夏尔马;M·詹代利亚;D·M·金策;T·普尔巴里奇 | 申请（专利权）人： | 纳维达斯半导体公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K19/0175 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及一种电容耦合式电平移位器。公开了一种半桥式GaN电路。所述电路包含：低侧电源开关，其经配置以根据一或多个输入信号而选择性地导电；高侧电源开关，其经配置以根据所述一或多个输入信号而选择性地导电；和高侧电源开关控制器，其经配置以基于所述一或多个输入信号而控制所述高侧电源开关的导电性。所述高侧电源开关控制器包含电容器和逻辑电路，其中所述电容器经配置以将基于所述输入信号的信号电容性耦合到所述逻辑电路，且所述逻辑电路经配置以基于所述电容耦合式信号而控制所述高侧电源开关的导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 高侧 电源开关 电容耦合式 配置 电容器 电源开关控制器 导电性 电平移位器 导电 电路 信号电容 半桥式 耦合到 低侧 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半桥式GaN电路，其包括：低侧电源开关，其经配置以根据一或多个输入信号而选择性地导电；高侧电源开关，其经配置以根据所述一或多个输入信号而选择性地导电；高侧电源开关控制器，其经配置以基于所述一或多个输入信号而控制所述高侧电源开关的导电性；反相或非反相逻辑门，其具有基于功率节点的电压的输入阈值，其中所述功率节点的电压具有根据所述输入信号而改变的电压，其中所述逻辑门的电源端连接到所述功率节点；以及电压产生器，其经配置以在VMID节点处产生供电电压，其中所述供电电压是基于所述功率节点的电压，其中所述逻辑门的接地端连接到所述VMID节点，且其中所述逻辑门的输入阈值电压介于所述功率节点的电压与所述VMID节点处的所述供电电压之间。
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