[发明专利]三维存储器的制造方法及三维存储器

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器的制造方法及三维存储器。所述三维存储器的制造方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的栅线隔槽；形成绝缘材料层于所述栅线隔槽的表面，且位于所述栅线隔槽侧壁顶部的所述绝缘材料层厚度大于位于所述栅线隔槽底端的所述绝缘材料层厚度；沿所述栅线隔槽刻蚀所述绝缘材料层，以形成覆盖于所述侧壁表面的隔离层及贯穿位于所述栅线隔槽底端的所述绝缘材料层的第一开口。本发明有效避免了漏电问题，提高了三维存储器的性能。

主权项

1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的栅线隔槽；形成绝缘材料层于所述栅线隔槽的表面，且位于所述栅线隔槽侧壁顶部的所述绝缘材料层厚度大于位于所述栅线隔槽底端的所述绝缘材料层厚度；沿所述栅线隔槽刻蚀所述绝缘材料层，以形成覆盖于所述侧壁表面的隔离层及贯穿位于所述栅线隔槽底端的所述绝缘材料层的第一开口；在所述刻蚀的过程中，所述侧壁顶部的绝缘材料层刻蚀量大于所述底端的绝缘材料层刻蚀量，使得所述侧壁顶部的隔离层厚度与所述侧壁底部的隔离层厚度相同；或者，所述侧壁顶部的隔离层厚度大于所述侧壁底部的隔离层厚度。