[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质有效
| 申请号： | 201811351652.4 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109786213B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 北村匡史;平松宏朗;高桥哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质。本发明的课题为，对在衬底上形成的膜的面内膜厚分布进行控制。本发明的半导体器件的制造方法具有下述工序：准备衬底的工序；和对衬底从第1供给部供给非活性气体，对衬底从第2供给部供给非活性气体，对衬底从第3供给部供给处理气体，从而在衬底上形成膜的工序，其中，第3供给部设置在隔着穿过第2供给部和衬底的中心的直线而与第1供给部相反的一侧，在形成膜的工序中，通过对从第1供给部供给的非活性气体的流量、与从第2供给部供给的非活性气体的流量的平衡进行控制，从而对在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布进行调节。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：准备衬底的工序；和对所述衬底从第1供给部供给非活性气体，对所述衬底从第2供给部供给非活性气体，对所述衬底从第3供给部供给处理气体，从而在所述衬底上形成膜的工序，其中，所述第3供给部设置在隔着穿过所述第2供给部和所述衬底的中心的直线而与所述第1供给部相反的一侧，在所述形成膜的工序中，通过对从所述第1供给部供给的非活性气体的流量、与从所述第2供给部供给的非活性气体的流量的平衡进行控制，从而对在所述衬底上形成的所述膜的衬底面内膜厚分布进行调节。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
