[发明专利]选择性蚀刻的方法有效
| 申请号： | 201811352456.9 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109786238B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | R·鲁;C·波瑞特;A·弗拉 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡文清;樊云飞 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种相对于第二特征件选择性去除第一特征件的方法，所述第一特征件包含含Sn的第一IV族材料，所述第二特征件包含第二IV族材料，所述方法包括：在加工室中提供具有上表面的基板，其中第一特征件和第二特征件设置在上表面上，其中，含Sn的第一IV族材料包含掺杂元素，在加工室中对基板进行加热，并且随后；进行蚀刻处理，所述蚀刻处理包括：将蚀刻气体引入加工室，对基板施加蚀刻气体，其中，蚀刻气体是基于氯或基于溴的气体。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相对于第二特征件(20)选择性去除第一特征件(30)的方法，所述第一特征件(30)包含含Sn的第一IV族材料，所述第二特征件(20)包含第二IV族材料，所述方法包括：‑在加工室中提供具有上表面(15)的基板(10)，其中第一特征件(30)和第二特征件(20)设置在上表面(15)上，其中，含Sn的第一IV族材料包含掺杂元素，‑在加工室中对基板(10)进行加热，并且随后；‑进行蚀刻处理，所述蚀刻处理包括：o将蚀刻气体引入加工室中，o对基板(10)施加蚀刻气体，其中，蚀刻气体是基于氯或基于溴的气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
