[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811352853.6 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN111192828B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 夏泽坤;王远 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 300380 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底、衬底内的漂移区以及衬底上的栅极材料层；在栅极材料层上形成第一图形层，以第一图形层为掩膜刻蚀栅极材料层，形成露出衬底表面的第一开口；以第一图形层为掩膜，对第一开口露出的衬底进行离子掺杂处理，在漂移区内形成初始体区；去除第一图形层；形成位于第一开口和栅极材料层上的第二图形层，以第二图形层为掩膜刻蚀栅极材料层，形成栅极层以及位于栅极层之间且露出衬底表面的第二开口；去除第二图形层；进行退火处理，使初始体区内的掺杂离子扩散至初始体区相邻栅极层底部的部分漂移区内形成体区。本发明实施例能够增大形成初始体区的工艺窗口、降低工艺难度、提高工艺稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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