[发明专利]三维存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201811352970.2 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109545766B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包括：第一晶圆，具有第一键合面以及暴露于所述第一键合面的第一导电层；第二晶圆，具有朝向所述第一键合面设置的第二键合面以及暴露于所述第二键合面的第二导电层；粘合层，位于所述第一键合面与所述第二键合面之间，并与所述第一键合面、第二键合面连接，所述粘合层具有用于电性连接所述第一导电层与所述第二导电层的掺杂部，所述掺杂部中包括自所述第一导电层和/或所述第二导电层扩散而来的导电粒子。本发明提高了第一晶圆与第二晶圆的键合强度，改善了键合后形成的三维存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：第一晶圆，具有第一键合面以及暴露于所述第一键合面的第一导电层；第二晶圆，具有朝向所述第一键合面设置的第二键合面以及暴露于所述第二键合面的第二导电层；粘合层，位于所述第一键合面与所述第二键合面之间，并与所述第一键合面、第二键合面连接，所述粘合层具有用于电性连接所述第一导电层与所述第二导电层的掺杂部，所述掺杂部中包括自所述第一导电层和/或所述第二导电层扩散而来的导电粒子。
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