[发明专利]用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置有效
| 申请号： | 201811353793.X | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109957261B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 裵鎭希;郭泽秀;黄丙奎;卢健培;司空峻;徐珍雨;张俊英 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C09D1/00 | 分类号： | C09D1/00;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 彭雪瑞;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明公开一种用于形成包含含硅聚合物和溶剂的二氧化硅层的组合物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置，其中二氧化硅(SiO |
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| 搜索关键词： | 用于 形成 二氧化硅 组合 以及 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成二氧化硅层的组合物，其特征在于，包括：含硅聚合物和溶剂，其中二氧化硅转化率大于0且小于或等于15，限制条件为，所述二氧化硅转化率由关系等式1计算：[关系等式1]二氧化硅转化率＝(通过以6700埃的厚度将所述用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受24小时的Si‑O/Si‑H的面积比)‑(通过以6700埃的厚度将所述用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受2小时的Si‑O/Si‑H的面积比)。
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