[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件有效

申请号：	201811354151.1	申请日：	2018-11-14
公开（公告）号：	CN110634799B	公开（公告）日：	2022-04-08
发明（设计）人：	陈亭纲;黄泰钧;傅依婷;温明璋;古淑瑗;杨复凯;李资良;卢永诚	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/8234	分类号：	H01L21/8234;H01L27/088
代理公司：	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258	代理人：	桑敏
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本公开涉及用于形成半导体器件的方法以及半导体器件。一种方法包括：跨半导体区域上方形成第一和第二虚设栅极堆叠；形成ILD以将第一和第二虚设栅极堆叠嵌入其中；分别用第一和第二替换栅极堆叠替换第一和第二虚设栅极堆叠；执行第一刻蚀工艺以形成第一开口。移除第一替换栅极堆叠的一部分和第二替换栅极堆叠的一部分。该方法还包括：填充第一开口以形成电介质隔离区域；执行第二刻蚀工艺以形成第二开口，其中，ILD被刻蚀，并且电介质隔离区域暴露于第二开口；在第二开口中形成接触间隔件；并且在第二开口中填充接触插塞。接触插塞在接触间隔件的相对部分之间。
搜索关键词：	用于形成半导体器件方法以及
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【主权项】：

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：/n跨半导体区域上方形成第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠；/n形成层间电介质(ILD)以将所述第一虚设栅极堆叠和所述第二虚设栅极堆叠嵌入其中；/n分别用第一替换栅极堆叠和第二替换栅极堆叠替换所述第一虚设栅极堆叠和所述第二虚设栅极堆叠；/n执行第一刻蚀工艺以形成第一开口，其中，移除所述第一替换栅极堆叠的一部分和所述第二替换栅极堆叠的一部分；/n填充所述第一开口以形成电介质隔离区域；/n执行第二刻蚀工艺以形成第二开口，其中，所述ILD被刻蚀，并且所述电介质隔离区域暴露于所述第二开口；/n在所述第二开口中形成接触间隔件；以及/n在所述第二开口中填充接触插塞，其中，所述接触插塞位于所述接触间隔件的相对部分之间。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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