[发明专利]一种半导体结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括衬底、多个导电柱、导电填充体、保护介质层、凹槽、低K介质侧墙、密封层及气隙，其中，导电柱位于衬底上，导电填充体连接于导电柱上方，保护介质层位于衬底上，包围导电柱的侧面，并遮盖于导电填充体下方，凹槽位于相邻导电柱之间及相邻导电填充体之间，低K介质侧墙位于凹槽的侧壁，密封层遮盖于凹槽的开口上方，气隙位于凹槽内，由低K介质侧墙、衬底及密封层共同封闭。本发明的半导体结构中，导电互连结构之间具有气隙，气隙中可以包括空气，能够降低互连线的时间常数RC，从而提高器件的互连速度。本发明的制作方法能够降低低K材质的损伤，从而增加互连结构的稳定性与可靠性。