[发明专利]用于封装件形成的工艺控制有效
| 申请号： | 201811355244.6 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109786264B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 陈明发;陈宪伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括将第一器件管芯和第二器件管芯接合到第三器件管芯，形成在第一器件管芯和第二器件管芯之间延伸的多个间隙填充层，以及实施第一蚀刻工艺以蚀刻多个间隙填充层中的第一介电层以形成开口。多个间隙填充层中的第一蚀刻停止层用于停止第一蚀刻工艺。然后开口延伸穿过第一蚀刻停止层。实施第二蚀刻工艺以使开口延伸穿过第一蚀刻停止层下面的第二介电层。第二蚀刻工艺在多个间隙填充层中的第二蚀刻停止层上停止。该方法还包括使开口延伸穿过第二蚀刻停止层，以及用导电材料填充开口以形成通孔。本发明的实施例还涉及用于封装件形成的工艺控制。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 封装 形成 工艺 控制 | ||
【主权项】：
1.一种形成封装件的方法，包括：将第一器件管芯和第二器件管芯接合到第三器件管芯；形成在所述第一器件管芯和所述第二器件管芯之间延伸的多个间隙填充层；实施第一蚀刻工艺以蚀刻所述多个间隙填充层中的第一介电层以形成开口，其中，所述多个间隙填充层中的第一蚀刻停止层和下面的所述第一介电层用于停止所述第一蚀刻工艺；使所述开口延伸穿过所述第一蚀刻停止层；实施第二蚀刻工艺以使所述开口延伸穿过所述多个间隙填充层中的第二介电层和下面的所述第一蚀刻停止层，其中，所述第二蚀刻工艺在所述多个间隙填充层中的第二蚀刻停止层上停止；使所述开口延伸穿过所述第二蚀刻停止层；以及用导电材料填充所述开口以形成通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
