[发明专利]高二氧化硅Cu-CHA的混合模板的合成有效
申请号: | 201811355940.7 | 申请日: | 2014-12-02 |
公开(公告)号: | CN109317190B | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | J·M·范德克;A·里瓦斯-卡多纳;H-Y·陈 | 申请(专利权)人: | 庄信万丰股份有限公司 |
主分类号: | B01J29/76 | 分类号: | B01J29/76;C01B39/48;B01D53/94;B01D53/90;B01D53/86;B01D53/56;B01D53/58 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 杨立芳 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种过渡金属CHA分子筛催化剂和混合模板合成过程。 | ||
搜索关键词: | 二氧化硅 cu cha 混合 模板 合成 | ||
【主权项】:
1.一种包括合成沸石的组合物,该合成沸石具有CHA骨架结构、25至150的摩尔硅铝比SAR,及均匀分散在该沸石的空穴和通道内的原位过渡金属。
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