[发明专利]一种微机电器件制备方法及装置有效
| 申请号： | 201811356928.8 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109534283B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李立伟;陆原;马琳 | 申请（专利权）人： | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 查薇 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技术开发区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种微机电器件制备方法及装置，包括：在第一晶圆衬底背面制备对准标记；以所述对准标记为对准参考，在所述第一晶圆衬底背面制备导电通道；翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，采用背面到正面的对准技术，在所述第一晶圆衬底正面制备电极窗口和可偏转元件；翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，在所述第一晶圆衬底背面制备与所述导电通道电连接的致电极控制电路。本发明提供的方案改善了现有技术中进行晶圆两面的加工，存在较大的对准误差，降低了成品率，也给器件的质量和可靠性带来隐患的技术问题。能有效的提高对准精度，提高成品率和器件质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微机 器件 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种微机电器件制备方法，其特征在于，包括：在第一晶圆衬底背面制备对准标记；以所述对准标记为对准参考，在所述第一晶圆衬底背面制备导电通道；翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，采用背面到正面的对准技术，在所述第一晶圆衬底正面制备电极窗口和可偏转元件；翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，在所述第一晶圆衬底背面制备与所述导电通道电连接的致电极控制电路。
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