[发明专利]存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811357641.7 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110660908B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 江法伸;林杏莲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一些实施例涉及一种存储器装置及其制造方法。所述存储器装置包括可编程金属化单元随机存取存储器(PMCRAM)单元。所述可编程金属化单元包括设置在底部电极之上的介电层，所述介电层包含中心区。导电桥能够在介电层内形成以及被消除，且导电桥控制在介电层的中心区内。在介电层之上设置有金属层。在底部电极与介电层之间设置有热散逸层。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，其特征在于，包括：/n底部电极；/n介电层，设置在所述底部电极之上；/n顶部电极，设置在所述介电层之上，其中导电桥能够选择性地形成在所述介电层内以将所述底部电极耦合到所述顶部电极；以及/n热散逸层，设置在所述底部电极与所述介电层之间。/n
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