[发明专利]一种电子器件软错误率评估方法及装置有效

专利信息
申请号: 201811357663.3 申请日: 2018-11-14
公开(公告)号: CN109696590B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 彭超;雷志锋;张战刚;何玉娟;黄云;恩云飞 申请(专利权)人: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 付建军
地址: 510610 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种电子器件软错误率评估方法和装置,所述方法通过根据10B同位素的含量判断所述电子器件对热中子是否敏感后,在不同的海拔高度处多次测试同一电子器件的总软错误率,达到分离高能中子、热中子和α粒子软错误率的目的。所有的软错误率都是根据真实大气环境下测试得到的软错误率计算出来的,结果更加可信。另外本发明避免了高能中子、热中子和α粒子软错误率的单独测量,从而规避了热中子和α粒子软错误率不易测量的缺点,大大降低了电子器件软错误率评估的复杂度和成本。
搜索关键词: 一种 电子器件 错误率 评估 方法 装置
【主权项】:
1.一种电子器件软错误率评估方法,其特征在于,包括以下步骤:获取电子器件内10B同位素的含量;根据所述10B同位素的含量判断所述电子器件对热中子是否敏感;如果所述电子器件对热中子不敏感,则获取所述电子器件在第一高度海拔处的第一总软错误率和所述电子器件在第二高度海拔处的第二总软错误率;获取第一高能中子加速因子;根据所述第一总软错误率、所述第二总软错误率和所述第一高能中子加速因子获取所述电子器件在第一高度海拔处由α粒子导致的第一α粒子软错误率和由高能中子导致的第一高能中子软错误率。
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