[发明专利]基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811359069.8 申请日: 2018-11-15
公开(公告)号: CN109545968B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 陈惠鹏;汪秀梅;郭太良;方圆;杨辉煌;陈奇珍 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40;H01L51/05;H01L51/10
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊;丘鸿超
地址: 350108 福建省福州市闽*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提出一种基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法,其特征在于,包括:压电栅、设置在所述压电栅上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的有机半导体层、设置在所述有机半导体层上的源极和漏极;所述压电栅自下而上依次包括:下表面电极、压电薄膜或铁电驻极体、上表面电极。相较于现有技术,本发明具有以下有益效果:通过自供电栅结构,可以将机械能转换成电能,在与其上下表面电极相连的栅极和漏极之间产生电压差取代外加栅压的作用,在绝缘层和有机半导体层界面感应出载流子,实现栅压的调控作用。通过其可以自身提供栅压取代外加栅压的特性,可以为人机交互、物联网及触屏光电技术等的发展提供技术支持,具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 基于 供电 有机 薄膜晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于自供电栅的有机薄膜晶体管,其特征在于,包括:压电栅、设置在所述压电栅上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的有机半导体层、设置在所述有机半导体层上的源极和漏极;所述压电栅自下而上依次包括:下表面电极、压电薄膜或铁电驻极体、上表面电极。
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