[发明专利]半片多晶太阳能电池片的制作工艺有效
申请号: | 201811359274.4 | 申请日: | 2018-11-15 |
公开(公告)号: | CN109449252B | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 王镇 | 申请(专利权)人: | 浙江艾能聚光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B41M1/26;B41M1/12 |
代理公司: | 嘉兴永航专利代理事务所(普通合伙) 33265 | 代理人: | 俞培锋 |
地址: | 314300 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种半片多晶太阳能电池片的制作工艺。它解决了现有制备方法的步骤过于简单,无法保证其质量,制备效果差等技术问题。本半片多晶太阳能电池片的制作工艺,包括如下步骤:a、检验;b、制绒;c、扩散;d、刻蚀;e、去PSG;f、PECVD;g、丝网印刷;h、烧结;i、划片;j、裂片;k、钝化;l、测试分选。本发明具有制作效果好的优点。 | ||
搜索关键词: | 多晶 太阳能电池 制作 工艺 | ||
【主权项】:
1.半片多晶太阳能电池片的制作工艺,其特征在于,包括如下步骤:a、检验:对硅片进行检验,去除不合格的硅片;b、制绒:对硅片进行清洗制绒,清除表面损伤层和污染层,并形成金字塔结构的绒面;c、扩散:将硅片放入到石英舟中,将石英舟放入到扩散炉中进行扩散;d、刻蚀:通过湿法刻蚀设备对硅片进行刻蚀;e、去PSG:将硅片进行表面去磷清洗,并用去离子水对硅片进行漂洗;f、PECVD:将硅片放入到石墨舟中,将石墨舟放入到管式PECVD设备中进行镀膜,形成减反射膜;g、丝网印刷:通过丝网印刷机在硅片的上下表面印制正、负电极;h、烧结:将硅片放入到烧结设备中进行烧结,得到多晶太阳能电池片;i、划片:通过激光划片机对多晶太阳能电池片背面进行切割,形成切槽;j、裂片:通过电池片裂片机对多晶太阳能电池片沿切槽处进行裂片,形成半片多晶太阳能电池片;k、钝化:通过钝化装置对多晶太阳能电池片新生成切割面进行钝化,形成钝化膜;l、测试分选:对半片多晶太阳能电池片进行测试,按电流和功率大小进行分类。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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