[发明专利]半导体制造设备及其操作方法在审
| 申请号： | 201811359613.9 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110931338A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 黄仲麟 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体制造设备以处理一半导体物件。该半导体制造设备包括一处理反应室、一第一电极、一第二电极、一射频电源、以及一个或多个光源产生器。该第一电极设置于该处理反应室内。该第二电极设置于该处理反应室内并且实质上在该第一电极下方。该射频电源电连接至该第一电极。该一个或多个光源产生器设置于该处理反应室内以照射该半导体，从而释放该半导体物件上的电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 设备 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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