[发明专利]掩模制造方法

摘要

一种掩模制造方法，包括通过调整多个参数，以校正光学邻近校正(OPC)模型，参数包括第一参数和第二参数，其中第一参数代表由电子束光刻机台引起的长程效应，并且第二参数代表半导体结构的几何特征或制造半导体结构的制程，电子束光刻机台用于制造掩模，掩模被使用以制造半导体结构、产生装置布局、计算出装置布局的第一网栅(grid)图案密度图、至少基于校正后的光学邻近校正模型和装置布局的第一网栅图案密度图，产生长程校正图、以及至少基于所产生的长程校正图和校正后的光学邻近校正模型，执行光学邻近校正以产生校正后的掩模布局。

主权项

1.一种掩模制造方法，包括：通过调整多个参数，以校正一光学邻近校正(OPC)模型，上述参数包括一第一参数和一第二参数，其中上述第一参数代表由一电子束光刻机台引起的长程效应，并且上述第二参数代表一半导体结构的一几何特征或制造上述半导体结构的一制程，上述电子束光刻机台用于制造一掩模，上述掩模被使用以制造上述半导体结构；产生一装置布局；计算出上述装置布局的一第一网栅(grid)图案密度图；至少基于校正后的上述光学邻近校正模型和上述装置布局的上述第一网栅图案密度图，产生一长程校正图；以及至少基于所产生的上述长程校正图和校正后的上述光学邻近校正模型，执行一光学邻近校正以产生一校正后的掩模布局。