[发明专利]花状Ni-doped二硫化钼/二氧化钛光催化材料的制备方法及应用

摘要

本发明涉及一种采用溶剂热法在无表面活性剂和模板的条件下，获得了纳米片组装的花状Ni‑doped MoS2结构，随后用原子层沉积技术在表面包覆超薄TiO2层，即可获得催化性能优异的花状Ni‑doped MoS2/TiO2光催化材料，获得了一种稳定性强催化活性高的Ni‑doped MoS2/TiO2光催化材料，整体制备方案可控性高，适用于规模化生产。本发明制备的花状Ni‑doped MoS2/TiO2光催化材料，可直接用于可见光催化反应。

主权项

1.一种花状Ni‑doped二硫化钼/二氧化钛光催化材料的制备方法，其特征在于，采用溶剂热法在无表面活性剂和模板的条件下，获得了纳米片组装的花状Ni‑doped MoS2结构，随后用原子层沉积技术在表面包覆超薄TiO2层，即可获得催化性能优异的花状Ni‑doped MoS2/TiO2光催化材料，包括如下步骤：（1）将钼酸盐和镍盐加入乙二醇和水的混合溶液中，钼酸盐和镍盐的摩比为100：(1~5) ，超声至完全溶解，形成溶液A；（2）将硫代乙酰胺或硫脲加入溶液A，硫代乙酰胺或硫脲的摩尔量为溶液A中钼酸盐摩尔量的2.05‑2.5倍，超声至完全溶解，形成溶液B；（3）将溶液B磁力搅拌至均匀混合均匀后，将溶液B转移至高压反应釜中，在反应温度为160 ~220 ºC下反应一定时间，冷却至室温后取出；（4）用去离子水和乙醇冲洗干净后将所得产物冷冻干燥，可获得花状Ni‑doped MoS2；（5）采用原子层沉积在步骤（4）中获得的Ni‑doped MoS2材料表面包覆超薄的TiO2层，即可获得性能优异的Ni‑doped MoS2/TiO2光催化材料。