[发明专利]以反应器进行蚀刻的方法及蚀刻系统

摘要

本公开描述示例性的在反应器中的蚀刻工艺，即描述了一种以反应器进行蚀刻的方法以及一种蚀刻系统，此反应器包括喷淋头及静电吸座，此静电吸座配置以接收射频功率。喷淋头包括顶板及底板，顶板及底板具有接收进气的一或多个气体通道。此方法可包括(1)旋转喷淋头的顶板或底板至第一位置，以容许气体流动通过喷淋头；(2)实施表面改质周期，包括：施加负直流偏压至喷淋头、施加射频功率信号至晶圆吸座；及(3)实施蚀刻周期，包括：从静电吸座去除负直流偏压，且降低施加至晶圆吸座的射频功率信号。

主权项

1.一种以反应器进行蚀刻的方法，该反应器具有一喷淋头，且该喷淋头具有一顶板及一底板，其中该以反应器进行蚀刻的方法包括：分别以一第一气体及一第二气体填充在该喷淋头的该顶板的一第一气体通道及一第二气体通道；实施一第一工艺周期，该第一工艺周期包括旋转该顶板或该底板至一第一位置，以容许该第一气体经由该第一气体通道流动通过该喷淋头，且限制该第二气体经由该第二气体通道流动通过该喷淋头；以及实施一第二工艺周期，该第二工艺周期包括旋转该顶板或该底板至一第二位置，以容许该第二气体经由该第二气体通道流动通过该喷淋头，且限制该第一气体经由该第一气体通道流动通过该喷淋头。