[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201811360328.9 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109786226A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 黄世钧;陈秋翔;叶雅雯;沈育佃;张博钦;赖建文;林纬良;张雅惠;严永松;林立德;林斌彦;刘如淦;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置的形成方法包括以光刻与蚀刻步骤形成第一硬遮罩于基板上的下方层上；形成多个侧壁间隔物图案，其具有第一侧壁部分与第二侧壁部分于第一硬遮罩的两侧侧壁上；蚀刻第一侧壁部分、蚀刻第一硬遮罩、与保留第二侧壁部分以桥接蚀刻的第一硬遮罩的间隙；以及采用第二硬遮罩，并对下方层进行工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 遮罩 半导体装置 第二侧壁 第一侧壁 下方层 侧壁间隔物 侧壁 光刻 基板 桥接 图案 保留 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：以一光刻与蚀刻步骤形成一第一硬遮罩于一基板上的一下方层上；形成多个侧壁间隔物图案，其具有一第一侧壁部分与一第二侧壁部分于该第一硬遮罩的两侧侧壁上；蚀刻该第一侧壁部分、蚀刻该第一硬遮罩、与保留该第二侧壁部分，以形成一第二硬遮罩；以及采用该第二硬遮罩，并对该下方层进行工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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