[发明专利]一种半导体工件清洗方法在审
| 申请号： | 201811360698.2 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111192816A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 刘曙 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体工件清洗方法，包括：将半导体工件置于去离子水中，在第一预设时间段内采用第一预设频率的超声波对所述半导体工件进行一次清洗操作；进行完所述一次清洗操作后，将所述半导体工件置于碱溶液中，在第二预设时间段内采用第二预设频率的超声波对所述半导体工件进行二次清洗操作；进行完所述二次清洗操作后，将所述半导体工件置于酸溶液中，在第三预设时间段内采用第三预设频率的超声波对所述半导体工件进行三次清洗操作。采用本发明实施例，能有效清除半导体工件的表面残渣，清洗效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 工件 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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