[发明专利]一种CMOS-MEMS集成芯片的规模化制造方法有效
| 申请号： | 201811360938.9 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109573941B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 赵俊元;朱银芳;王栎皓;杨晋玲;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种CMOS‑MEMS集成芯片的规模化制造方法，将CMOS工艺与MEMS体硅制造工艺有机融合，包括：步骤A：选取SOI基片并在所述SOI基片上划分出CMOS电路区域和MEMS谐振式悬臂梁传感器区域；所述SOI基片包括顶层硅(1)、埋氧层(2)以及体硅(3)；步骤B：在步骤A所选取的SOI基片的顶层硅(1)上采用CMOS工艺制作CMOS电路和MEMS谐振式悬臂梁传感器电路；步骤C：制备金电极及MEMS谐振式悬臂梁，完成CMOS‑MEMS集成芯片的制备，采用Inter‑CMOS和Post‑CMOS工艺的融合，减小了器件的寄生电容，降低了信号噪声，大大提高了器件的稳定性和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos mems 集成 芯片 规模化 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS‑MEMS集成芯片的规模化制造方法，将CMOS工艺与MEMS体硅制造工艺有机融合，包括：步骤A：选取SOI基片并在所述SOI基片上划分出CMOS电路区域和MEMS谐振式悬臂梁传感器区域；所述SOI基片包括顶层硅(1)、埋氧层(2)以及体硅(3)；步骤B：在步骤A所选取的SOI基片的顶层硅(1)上采用CMOS工艺制作CMOS电路和MEMS谐振式悬臂梁传感器电路；步骤C：制备金电极及MEMS谐振式悬臂梁，完成CMOS‑MEMS集成芯片的制备。
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