[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201811361688.0 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109801961A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 高境鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开一种半导体结构，包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上且由隔离部件隔开的第一有源区和第二有源区；以及在半导体衬底上形成的场效应晶体管。场效应晶体管还包括设置在所述半导体衬底上且从所述第一有源区延伸到所述第二有源区的栅叠件；源极和漏极形成在所述第一有源区上所述栅叠件介于源漏极之间。该半导体结构还包括在所述第二有源区上形成并且被配置为所述场效应晶体管的栅极接触件的掺杂部件。本发明的实施例还公开一种形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 源区 半导体结构 衬底 场效应晶体管 半导体 叠件 隔离部件 栅极接触 源漏极 隔开 漏极 源极 掺杂 延伸 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底；第一有源区和第二有源区，位于所述半导体衬底上且由隔离部件隔开；场效应晶体管，形成在所述半导体衬底上，其中，所述场效应晶体管包括：栅叠件，设置在所述半导体衬底上且从所述第一有源区延伸至所述第二有源区；和源极和漏极，形成在所述第一有源区上且所述栅叠件介于所述源极和漏极之间；以及掺杂部件，形成在所述第二有源区上并且被配置为所述场效应晶体管的栅极接触件。
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