[发明专利]晶体管、半导体器件及晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201811361989.3 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111192920A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管、半导体器件及晶体管的形成方法，通过在衬底的源区及漏区之间形成若干沿着垂直于所述源区至所述漏区的方向排列的凹槽，再形成位于所述源区及所述漏区之间的衬底上并填充所述凹槽的栅极结构，在不增加晶体管面积的情况下增加了沟道的宽度(沿着垂直于所述源区至所述漏区方向的尺寸)，在减小晶体管的尺寸的同时可以降低深亚微米效应，并且还增大了晶体管的导通电流，提高了晶体管的开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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