[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201811362818.2 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109461647A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 吴科良;岳志刚;辛君;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 汪晶晶 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置的制造方法。该方法包括：提供器件晶片，该器件晶片包括相对的第一侧和第二侧；从第一侧对器件晶片的边缘进行修剪，以形成台阶状的边缘廓形，该边缘廓形包括从第一侧起的第一个边角处的第一边角廓形；将器件晶片键合到载体晶片，其中器件晶片被取向为使得第一侧面向载体晶片；从第二侧对器件晶片进行第一减薄处理，以减小器件晶片的厚度；对器件晶片施加保护层，以至少覆盖第一边角廓形；以及从第二侧对器件晶片进行第二减薄处理，以继续减小器件晶片的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 器件晶片 半导体装置 边缘廓形 减薄处理 载体晶片 边角 减小 廓形 保护层 边角处 台阶状 键合 取向 修剪 制造 施加 侧面 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：提供器件晶片，所述器件晶片包括相对的第一侧和第二侧；从第一侧对所述器件晶片的边缘进行修剪，以形成台阶状的边缘廓形，所述边缘廓形包括从第一侧起的第一个边角处的第一边角廓形；将所述器件晶片键合到载体晶片，其中所述器件晶片被取向为使得第一侧面向所述载体晶片；从第二侧对所述器件晶片进行第一减薄处理，以减小所述器件晶片的厚度；对所述器件晶片施加保护层，以至少覆盖所述第一边角廓形；以及从第二侧对所述器件晶片进行第二减薄处理，以继续减小所述器件晶片的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
