[发明专利]一种MIM电容及其制作方法有效
| 申请号： | 201811364078.6 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN111199953B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 金宏峰 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MIM电容及其制作方法，所述制作方法包括:提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成抗反射层；光刻并刻蚀所述第一金属层和所述抗反射层，以定义MIM电容区域，所述MIM电容区域中的所述第一金属层作为MIM电容的下极板，所述MIM电容区域中的所述抗反射层作为MIM电容的介质层；在所述MIM电容区域中的所述抗反射层上形成MIM电容的上极板。本发明的制作方法在刻蚀后的刻开区域中保留下来的抗反射层同时作为电容的介质层，继续在刻开区域中填充金属作为上极板，不再需要制作额外的电容的介质层，也不再需要额外的光刻工艺来定义上极板区域，减少了光刻和刻蚀的次数，从而降低了工艺成本，缩短了工艺周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mim 电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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