[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201811365489.7 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109801827B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木芳彦;南雅人 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体蚀刻装置具有构成基片载置台(130)的载置面的静电吸盘(132)的绝缘层(145)，其中，该基片载置台(130)用于载置作为等离子体处理的对象的基片。绝缘层(145)包括氧化铝、氧化钇和硅化合物。另外，等离子体蚀刻装置(30)具有吸附电极(146)，该吸附电极(146)设置在绝缘层(145)内，通过对其施加规定的电压来吸附基片。吸附电极(146)由含镍金属或者含铬金属形成。本发明即使在进行干式清洁的情况下，也能够提高载置台对等离子体的耐受性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：构成载置台的载置面的绝缘层，其中，所述载置台用于载置作为等离子体处理的对象的被处理件，所述绝缘层包括氧化铝、氧化钇和硅化合物；和设置在所述绝缘层内的吸附电极，其由含镍金属或者含铬金属形成，通过对其施加规定的电压来吸附被处理件。
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