[发明专利]读取电阻式存储器件的方法有效
| 申请号： | 201811365709.6 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN110136763B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 金京完;河泰政 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种读取电阻式存储器件的方法。在根据一个实施例的一种读取电阻式存储器件的方法中，准备包括选择元件和可变电阻元件的存储单元。选择元件在针对存储单元的电流‑电压扫描曲线上表现出骤回行为。在选择元件维持导通状态的电压范围之内确定要施加给存储单元的第一读取电压和第二读取电压。第二读取电压的大小小于第一读取电压的大小，以及第二读取电压在选择元件表现出骤回行为的电压范围内选择。施加第一读取电压给存储单元以测量第一单元电流。施加第二读取电压给存储单元以测量第二单元电流。基于第一单元电流和第二单元电流来确定储存在存储单元中的电阻状态。 | ||
| 搜索关键词： | 读取 电阻 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种读取电阻式存储器件的方法，包括：准备包括选择元件和可变电阻元件的存储单元，所述选择元件在针对所述存储单元的电流‑电压扫描曲线上表现出骤回行为；在所述选择元件维持导通状态的电压范围之内确定要施加给所述存储单元的第一读取电压和第二读取电压，所述第二读取电压低于所述第一读取电压，并且所述第二读取电压在所述选择元件表现出所述骤回行为的电压范围中选择；施加所述第一读取电压给所述存储单元以测量第一单元电流；施加所述第二读取电压给所述存储单元以测量第二单元电流；以及基于所述第一单元电流和所述第二单元电流来确定储存在所述存储单元中的电阻状态。
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