[发明专利]一种靶材、磁控溅射装置及溅射方法、溅射薄膜有效
| 申请号： | 201811366259.2 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109161863B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 苏同上;王东方;王庆贺;闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种靶材、磁控溅射装置及溅射方法、溅射薄膜，属于磁控溅射技术领域，其可解决现有的旋转靶磁控溅射设备的溅射得到的薄膜的电阻存在周期性差异致使显示不均的问题。本发明的靶材通过改变不同区域的靶元素含量，使得不同区域靶材的电阻率不同，这样当该靶材溅射成膜后，较薄薄膜的导电性能与较厚薄膜的导电性能一致，即薄厚不均的薄膜导电性能相同。采用该薄膜作为TFT的源漏极或者有源层，不同区域的TFT的电流大小相同，所制备的产品显示均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 装置 溅射 方法 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种靶材，其特征在于，所述靶材包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于向基板的正对靶材的位置进行溅射，所述第二区域用于向基板的斜对靶材的位置进行溅射，所述靶材含有至少两种靶元素，所述第一区域与第二区域中的至少部分靶元素的含量不同，所述第一区域的靶材的电阻率高于第二区域的靶材的电阻率。
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