[发明专利]高密度金属-绝缘体-金属的电容器

摘要

本发明涉及高密度金属‑绝缘体‑金属的电容器，其为包括金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的结构的制作方法、以及包括MIM电容器的结构。该MIM电容器包括具有第一电极、第二电极及第三电极的层堆迭。该层堆迭包括至少部分延展穿过该第一电极、该第二电极、及该第三电极其中至少一者的先导开口。有一介电层配置于该金属‑绝缘体‑金属电容器上方，该介电层包括垂直延展至该先导开口的贯穿孔开口。有一贯穿孔配置于该贯穿孔开口及该先导开口中。该先导开口具有比该贯穿孔开口的截面积更小的截面积。

主权项

1.一种结构，包含：金属‑绝缘体‑金属电容器，包括具有第一电极、第二电极及第三电极的层堆迭，该层堆迭包括至少部分延展穿过该第一电极、该第二电极、及该第三电极其中至少一者的第一先导开口；位在该金属‑绝缘体‑金属电容器上方的第一介电层，该第一介电层包括垂直延展至该第一先导开口的第一贯穿孔开口；以及位在该第一贯穿孔开口及该第一先导开口中的第一贯穿孔，其中，该第一贯穿孔开口具有截面积，并且该第一先导开口具有比该第一贯穿孔开口的该截面积更小的截面积。