[发明专利]一种晶片及其处理方法在审
| 申请号： | 201811367666.5 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109473342A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 程纪伟;罗世金;孙中旺;张坤;鲍琨;胡明;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/66;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种晶片及其处理方法。在方法可以根据晶片至少两个不同方向上的第一翘曲度差异，对晶片表面的至少部分区域进行掺杂，从而缩小晶片不同方向上的应力差，使得晶片内部不同区域的应力分布大致均匀，从而使得晶片不同方向的翘曲度差异满足预设要求。因此，本申请可以通过对晶片表面进行掺杂的方式改善晶片不同区域的应力分布，而且，由于掺杂的具体工艺条件是根据晶片至少两个方向上的翘曲度差异来确定的，所以，该方法能够缩小晶片不同方向上的应力差，进而改善不同晶片不同方向上的翘曲度差异，从而使得晶片不同方向的翘曲度差异满足预设要求，进而使晶片表面变得平整。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 翘曲度 晶片表面 应力分布 预设要求 掺杂的 应力差 种晶 具体工艺条件 晶片内部 申请 掺杂 平整 | ||
【主权项】：
1.一种晶片处理方法，其特征在于，包括：采集晶片分别在至少两个不同方向上的第一翘曲度；根据所述晶片至少两个不同方向上的第一翘曲度，获取所述晶片在所述至少两个不同方向上的第一翘曲度差异；当所述第一翘曲度差异不满足预设要求时，根据所述第一翘曲度差异，对晶片表面的至少部分区域进行第一掺杂，以使掺杂后的晶片不同方向的翘曲度差异满足预设要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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