[发明专利]一种测量键合强度的方法

摘要

本发明提供一种测量键合强度的方法，属于半导体制造技术领域，包括：将一刀片沿键合面嵌入到两个键合晶圆之间，以于两个键合晶圆之间产生缝隙，对刀片进行测量以得到刀片的嵌入深度；将两个键合晶圆水平放置，将一激光束沿刀片中心与键合面中心的连线，从刀片的嵌入方向的对向，沿任意一键合晶圆的表面水平入射，采集激光束在被产生形变的键合晶圆反射前沿键合晶圆表面走过的水平直线距离，根据键合晶圆的直径、嵌入深度以及水平直线距离处理得到缝隙长度；根据公式处理得到键合强度。本发明的有益效果：可以解决IR无法穿透或穿透能力差的图形片(例如有金属布线的图形片)键合强度量测问题，可简便有效的测量，可提高测量的准确性。

主权项

1.一种测量键合强度的方法，适用于测量两个键合晶圆之间的键合强度，两个所述键合晶圆之间具有一键合面；其特征在于，所述方法包括：步骤S1、将一刀片沿所述键合面嵌入到两个所述键合晶圆之间，以于两个所述键合晶圆之间产生缝隙，对所述刀片进行测量以得到所述刀片的嵌入深度；步骤S2、将两个所述键合晶圆水平放置，将一激光束沿刀片中心与键合面中心的连线，从所述刀片的嵌入方向的对向，沿任意一所述键合晶圆的表面水平入射，采集所述激光束在被产生形变的所述键合晶圆反射前沿所述键合晶圆表面走过的水平直线距离，根据所述键合晶圆的直径、所述嵌入深度以及所述水平直线距离处理得到缝隙长度；步骤S3、根据下述公式处理得到键合强度：其中，γ用于表示键合强度；E1用于表示所述第一晶圆的杨氏模量；E2用于表示所述第二晶圆的杨氏模量；t1用于表示所述第一晶圆的厚度；t2用于表示所述第二晶圆的厚度；L用于表示所述缝隙的长度；h用于表示位于所述缝隙外端且远离所述键合面处，所述第一晶圆的下表面和所述第二晶圆的上表面之间的距离；At用于表示所述第一晶圆的面积；Ab用于表示所述键合面的面积。