[发明专利]SoC芯片激光模拟单粒子辐照检测及故障定位方法及系统有效

专利信息
申请号: 201811368446.4 申请日: 2018-11-16
公开(公告)号: CN109581185B 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 尤利达;陈雷;于立新;彭和平;庄伟;张世远 申请(专利权)人: 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 徐晓艳
地址: 100076 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了SoC激光模拟单粒子辐照检测及故障定位方法及系统:(1)对待测芯片测试区域镂空处理;(2)若进行动态测试,选择某一模块的功能测试程序,开始功能测试,将测试结果输出;(3)若进行静态测试,则PLL时钟旁路,且停止时钟信号输入,通过电流变化检测电路状态;(4)若进行复位状态测试,则将复位管脚接低,通过复位电路使SoC芯片持续处于复位状态,通过观察电流变化及锁相环频率波形检测电路状态。本发明避免了激光光斑较大对非测试区域产生的影响,提高SoC芯片测试全面性与准确性。
搜索关键词: soc 芯片 激光 模拟 粒子 辐照 检测 故障 定位 方法 系统
【主权项】:
1.SoC芯片激光模拟单粒子辐照检测及故障定位方法,其特征在于包括复位模式下的步骤:(1‑1)、对SoC芯片待测区域的背面进行开孔处理,露出芯片衬底;(1‑2)、将开孔后的SoC芯片安装在测试板上,所述测试板提供SoC芯片必需的配置信号,使SoC芯片上电后能够正常工作,所述配置信号包括电源信号与时钟信号,时钟信号输入至SoC芯片PLL模块,产生SoC芯片工作时钟;(1‑3)、将待测芯片复位管脚接地,之后,使SoC芯片上电开始工作;(1‑4)、采用激光对准SoC芯片背面开孔区域,进行二维平面扫描照射;(1‑5)、监测SoC芯片工作时钟的波形、内核电流、IO电流,当SoC芯片工作时钟、内核电流、IO电流任意一项出现异常时,则认为SOC芯片待测区域出现故障,停止激光照射,结束测试。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所,未经北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811368446.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code