[发明专利]SIGW圆极化缝隙天线

摘要

本发明基片集成间隙波导（SIGW）圆极化天线，采用三块介质板构成基片集成间隙波导天线；SIGW由三层介质板构成：有电磁带隙的底层介质板、有金属覆层的上层介质板以及分隔上下两层介质板的中间层介质板（间隙）。在SIGW的上层介质板的金属层上蚀刻了一个矩形金属缝隙，采用延伸到矩形缝隙下方的微带线激励矩形缝隙产生圆极化辐射，形成SIGW圆极化缝隙天线。本发明SIGW圆极化缝隙天线具有结构简单，抗干扰能力强，易加工，易集成，带宽较宽等优点，能用做5G毫米波通信系统天线。

主权项

1.本发明SIGW圆极化缝隙天线，其特征在于，包括三层介质板：上层介质板（1），中间层介质板（2），下层介质板（3），其中：上层介质板（1）的上表面印刷有第一敷铜层（9）；第一敷铜层（9）上蚀刻有矩形缝隙（8），下表面印刷有馈电微带线（6）；馈电微带线（6）延伸到矩形缝隙下方；下层介质板（3）上表面的圆形贴片，下表面印刷有第二敷铜层（4）；下层介质板（3）上打有金属过孔（5），与上表面的圆形贴片（10）一起组成电磁带隙（EBG）结构阵列；中间层介质板（2）分隔上层介质板（1）和下层介质板（3），使上层介质板（1）和下层介质板（3）之间形成间隙；上层介质板（1），中间层介质板（2），下层介质板（3）粘合在一起，形成一个整体；上层介质板（1）上的第一敷铜层（9）为理想电导体（PEC），下层介质板（3）相当于理想磁导体（PMC）；上层介质板（1），中间层介质板（2），下层介质板（3），印刷在上层介质板上的第一敷铜层（9）和馈电微带线（6），制作在下层介质板上的蘑菇状EBG阵列结构，以及印刷在下层介质板上的第二敷铜层（4）构成基片集成间隙波导(SIGW)结构。