[发明专利]一种极化不敏感的多波长近红外吸收器在审
| 申请号： | 201811373697.1 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109358386A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 胡丹;王红燕;汤振杰 | 申请（专利权）人： | 安阳师范学院 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 455000 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种极化不敏感的多波长近红外吸收器，属于近红外超材料吸收器技术领域，解决只能在单个、两个或三个波长内电磁波的高吸收问题。本发明的吸收器由多个吸收器单元构成，所述的每个吸收器单元包括：衬底(1)、金膜(2)、金纳米腔(21)；其中，金膜(2)紧贴于衬底(1)的上表面；金属纳米腔(21)为“十”字形凹槽，位于结构单元的中心，从金膜(2)的上表面开始刻到金膜(2)内一定深度但没有刻透；所述的金属纳米腔(21)中填充电磁波材质。本发明提供的近红外吸收器具有结构简单，高吸收率，极化不敏感和宽入射角特性，并且有六个吸收峰值点。 | ||
| 搜索关键词： | 金膜 极化不敏感 近红外吸收 吸收器单元 金属纳米 电磁波 多波长 上表面 衬底 超材料吸收器 入射角特性 高吸收率 字形凹槽 峰值点 吸收器 波长 填充 吸收 紧贴 | ||
【主权项】：
1.一种极化不敏感的多波长近红外吸收器，其特征在于：该吸收器由多个吸收器单元构成，所述的每个吸收器单元包括：衬底(1)、金膜(2)、金纳米腔(21)；其中，金膜(2)紧贴于衬底(1)的上表面；金纳米腔(21)为“十”字形凹槽，位于结构单元的中心，从金膜(2)的上表面开始刻到金膜(2)内一定深度但没有刻透，所述一定深度是指从金纳米腔的底部到衬底的上表面剩余的金膜厚度仍能远大于电磁波的穿透深度；所述的金纳米腔(21)中填充电磁波材质。
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