[发明专利]高可靠性电平位移电路有效
| 申请号： | 201811374319.5 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109547009B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 奚冬杰;罗永波;宣志斌;肖培磊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高可靠性电平位移电路，其特征是：包括低端低压部分电路、高端高压部分电路、驱动电路和功率输出级；所述低端低压部分电路将Control_Logic_Low进行预处理输出至高端高压部分电路以控制高端高压部分电路；所述高端高压部分电路对驱动电路中的PLDMOS与NLDMOS的栅端电位分别单独处理，驱动电路将NLDMOS的源端采用浮动电位，保证两者栅源压差始终不会大于其击穿值；所述驱动电路控制功率输出级中高端功能率器件NLD_UP的开关。本发明将驱动电路中PLDMOS管和NLDMOS管的栅电位分别单独处理，且对NLDMOS管的源端采取浮动电位设计，这使得PLDMOS管和NLDMOS管的栅源压差始终不会大于其击穿值，从而避免了当电源电压波动较大时电平位移电路驱动下一级MOS管栅极时出现栅击穿现象。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 电平 位移 电路 | ||
【主权项】：
1.一种高可靠性电平位移电路，其特征是：包括低端低压部分电路、高端高压部分电路、驱动电路和功率输出级；所述低端低压部分电路将Control_Logic_Low进行预处理输出至高端高压部分电路以控制高端高压部分电路；所述高端高压部分电路对驱动电路中的PLDMOS与NLDMOS的栅端电位分别单独处理，驱动电路将NLDMOS的源端采用浮动电位，保证两者栅源压差始终不会大于其击穿值；所述驱动电路控制功率输出级中高端功能率器件NLD_UP的开关。
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