[发明专利]三维半导体存储器件和制造其的方法

摘要

提供了三维半导体存储器件和制造其的方法。一种存储器件可以包括：半导体层，包括第一区和第二区；第一垂直结构，在第一区上并在与半导体层的顶表面垂直的第一方向上延伸；以及第二垂直结构，在第二区上并在第一方向上延伸。第一垂直结构可以包括在第一方向上延伸并与半导体层接触的垂直半导体图案、以及围绕垂直半导体图案的第一数据存储图案。第二垂直结构可以包括在第一方向上延伸并与半导体层接触的绝缘结构、以及围绕绝缘结构的第二数据存储图案。

主权项

1.一种三维半导体存储器件，包括：半导体层，包括第一区和第二区；多个第一垂直结构，在所述第一区域上，并且在与所述半导体层的顶表面垂直的第一方向上延伸；以及多个第二垂直结构，在所述第二区上，并且在所述第一方向上延伸，其中所述第一垂直结构的每个包括：垂直半导体图案，在所述第一方向上延伸并且接触所述半导体层；和第一数据存储图案，围绕所述垂直半导体图案的周边，以及其中所述第二垂直结构的每个包括：绝缘结构，在所述第一方向上延伸并且接触所述半导体层；和第二数据存储图案，围绕所述绝缘结构的周边。