[发明专利]存储器装置及其操作方法在审
| 申请号： | 201811375197.1 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109872751A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 林菜昱;罗太熙;鲜于桢;李墉焌 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括具有开关元件和连接至开关元件的数据存储元件的存储器单元，其中，数据存储元件具有相变材料；以及存储器控制器，其将第一读电流输入至存储器单元以检测第一读电压，将第二读电流输入至存储器单元以检测第二读电压，以及将补偿电流输入至存储器单元，其中补偿电流降低数据存储元件的电阻值，当存储器单元的第一状态与存储器单元的第二状态不同时输入补偿电流，利用第一读电压确定第一状态，并且利用第二读电压确定第二状态。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器单元 读电压 数据存储元件 存储器装置 补偿电流 开关元件 存储器单元阵列 存储器控制器 输入补偿 相变材料 检测 电阻 申请 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括具有开关元件和连接至所述开关元件的数据存储元件的存储器单元，其中，所述数据存储元件具有相变材料；以及存储器控制器，其用于将第一读电流输入至所述存储器单元以检测第一读电压，将第二读电流输入至所述存储器单元以检测第二读电压，以及将补偿电流输入至所述存储器单元，其中所述补偿电流降低所述数据存储元件的电阻值，当所述存储器单元的第一状态与所述存储器单元的第二状态不同时输入所述补偿电流，利用所述第一读电压确定所述第一状态，并且利用所述第二读电压确定所述第二状态。
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